SiC Power Device

75～150mm용 SiC 전력 반도체 제조용 에피택셜 성막(SiC epitaxial CVD) 장비. 진공 내 고온 제어 등 최첨단 기술을 도입하여 우수한 막 두께·농도 균일성 실현.

200mm 이하 웨이퍼 대응 배치식 열처리 성막(Batch thermal processing)장비. 장비를 안정적이고 지속적으로 가동하기 위해 조작성·기능성을 향상시켰으며 세계적인 안전 기준에도 적합.

75~200mm 웨이퍼에 대응하는 도포 현상(Coater/developer) 장비는 다양한 기판(Si, GaAs, GaN, SiC, Thin & Thick 등)에 대응 가능. SOD 도포 성막에도 대응 가능.

100~200mm 웨이퍼 대응 플라스마 에칭 (Plasma etch system) 장비. 양산 라인에서 높은 가성비를 구현하여 우수한 생산성과 높은 신뢰성을 달성.

100~200mm 웨이퍼 대응 플라스마 에칭 (Plasma etch system) 장비. 양산 라인에서 높은 가성비를 구현하여 우수한 생산성과 높은 신뢰성을 달성.

200mm 이하 웨이퍼 대응 배치식 열처리 성막(Batch thermal processing)장비. 장비를 안정적이고 지속적으로 가동하기 위해 조작성·기능성을 향상시켰으며 세계적인 안전 기준에도 적합.

200mm 이하 웨이퍼 대응 배치식 열처리 성막(Batch thermal processing)장비. 장비를 안정적이고 지속적으로 가동하기 위해 조작성·기능성을 향상시켰으며 세계적인 안전 기준에도 적합.

300/200mm 웨이퍼 대응 전자동 배치 스프레이 세정(Batch spray cleaning) 장비. 최적의 반송 청정도 환경을 제공하는 국소 환경(Mini-environment) 시스템을 장착한 FOUP/SMIF에 대응, 저비용의 세미 오토 사양도 가능.

200mm/150mm 웨이퍼 대응 스크러버 세정(Water scrubber) 장비. 300mm 차세대 디바이스용 세정 프로세스 기술을 탑재해 높은 신뢰성과 생산성을 실현.