SiC Power Device

用於製造75～150mm的SiC功率半導體的SiC磊晶沉積設備。結合真空下高溫控制等最尖端技術，並實現優異的膜厚和濃度均勻性。

適用200mm以下晶圓的批量熱處理沉積設備。除了提升設備的穩定性、連續運作性與功能性之外，還符合全球安全標準。

適用75～200mm晶圓的塗佈顯影設備可適用各種基板（Si、GaAs、GaN、SiC、Thin＆Thick等其它）。也可適用SOD鍍膜。

適用100～200mm晶圓的等離子蝕刻設備。在生產線上實現高性價比，並達到優異的生產力和高可靠性。

適用100～200mm晶圓的等離子蝕刻設備。在生產線上實現高性價比，並達到優異的生產力和高可靠性。

適用200mm以下晶圓的批量熱處理沉積設備。除了提升設備的穩定性、連續運作性與功能性之外，還符合全球安全標準。

適用200mm以下晶圓的批量熱處理沉積設備。除了提升設備的穩定性、連續運作性與功能性之外，還符合全球安全標準。

適用300/200mm晶圓的全自動批量噴霧洗淨設備與FOUP/SMIF傳送盒相容，提供最佳的運輸清潔環境及低成本的半自動規格

適用200mm/150mm晶圓的洗淨設備。搭載300mm新一代設備專用的洗淨製程技術，並實現高可靠性與生產力。