シリコンウェーハを拡散炉の中に入れ、酸素ガスを流し約1,000度に熱する。するとウェーハの表面に酸化膜が形成される。

■酸化拡散・LP-CVD装置（東京エレクトロン東北）

コータでシリコンウェーハを高速回転させながら、紫外線によって性質の変化する感光剤（フォトレジスト）をウェーハ上に均一に塗る。

■コータ/デベロッパ（東京エレクトロン九州）

ステッパーを使用してIC回路を描いたガラスマスクをウェーハに合わせて置き、紫外線を当てて感光剤上に転写する。

デベロッパで現像液をウェーハ上に均一にかける。光の当たった箇所の感光剤が溶けて、ウェーハ上にマスクパターンが残る。

■コータ/デベロッパ（東京エレクトロン九州）

エッチング装置で、フォトレジスト上に現像されたパターンに従って酸化膜を削り取る。フォトレジストで保護されている部分は削り取られずに残る。

■プラズマエッチング装置（東京エレクトロンAT）

洗浄装置で残っている感光剤を取り除く。

■オートウェットステーション（東京エレクトロン九州）

ほう素やひ素などの元素を電気的にイオン状態にし打ち込む。酸化膜が残っている部分にはイオンは注入されない。

酸化膜が削り取られた箇所にイオンを注入し、その後絶縁膜を形成する。配線形成のための金属膜を化学的に成膜する。

■枚葉CVD装置（東京エレクトロンAT）

できあがったウェーハには同じ半導体が200〜300個つくられるので、一つ一つの半導体をウェーハプローバとテスターで検査する。

■ウェーハプローバ装置（東京エレクトロンTS）

組立てプロセス、組立て完成LSI、検査プロセスを通して、半導体が完成する。