동경 엘렉트론의 매엽식 성막 Metal-CVD BU에서는, 최첨단 디바이스 Needs에 대응하며, 동시에 Maintenance성을 개선한 매엽CVD장치, 플라즈마 처리장치, PVD장치 등의 장치를 제공하고 있습니다.
매 엽식 CVD장치 Trias는, 200mm의 concept으로부터 향상된 더 높은 성능의 Process Performance와 높은 생산성을 가지면서 각각의 W,Wsix,Ta,O3,Ti,TiN등의 여러 공정에 맞는 처리를 할 수 있는 Module을 구성할 수 있는 Common backbone의 컨셉으로 갖추어져 있으며, 해당공정의 Main Gas및 Chemical등에 열과 플라즈마를 이용해서 금속막과 확산방지막을 형성하는 장치로, DRAM관련의 어플리케이션에서는 높은 쉐어를 획득하고 있습니다.

또한, Trias SPA장치는, 마이크로웨이브를 이용해서 게이트 절연막의 질화 및 산화를 하는 장치로, 웨이퍼로의 Damage가 적으며,양질의 Leakage가 적은 게이트 절연막의 형성을 가능하게 하고 있습니다. 대표적으로는 Gate Nitridation, Gate Poly Oxidation, Flash Memory등의 여러 공정의Application이 가능합니다.

CVD법은 필요로 하는 성막의 종류에 대응하여 재료가스를 챔버에 공급하고, Chamber내에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 에네르기를 주게 되면 화학반응을 일으켜, 박막이 형성되는 공정이며, 반도체 기판에 절연막 및 금속 등의 박막을 형성하는 대표적 방법입니다.