アプリケーション

• 極低温MLD-SiN
• 極低温MLD-SiO₂

特　長

• プラズマダメージフリー
• 100枚処理
• ドライガスクリーニング技術（MLD-SiN）

TELINDY IRadはTELFORMULA IRadにて培った、プラズマ源制御技術・プラズマダメージレス低温成膜プロセスをさらなる量産性を追及したTELINDYにて実現しました。当社のMLD（Molecular Layer Deposition）技術と融合することで、45nm以降の成膜技術として大きな期待を持たれているラミネート膜やナノスケール膜への応用も可能です。

• ※TELINDYは、東京エレクトロン株式会社の登録商標です。
• ※IRadは、東京エレクトロン株式会社の商標です。
• IRad= In-situ Radical assisted deposition