Trias Wは、WF6を使用した高ステップカバレッジのW成膜を実現する枚葉CVD装置です。ウェーハの昇降温を高速に行えるランプ加熱技術、プラズマレス・チャンバークリーニング技術を採用しており、高い生産性と低CoCを実現します。微細ホール内の埋め込みに必要なSFD技術による核付け層形成と、通常のCVD技術によるバルク膜形成とを同一モジュール内で実現可能なことから、高い生産性とフレキシビリティを実現します。また、さらなる低抵抗膜も成膜可能なことから、65nm以降に向けた微細化ニーズにも対応可能です。

アプリケーション

• コンタクト プラグ、ビア フィル

特　長

• ウェーハサイズ：300mm対応
• プロセスモジュール：1〜4個
• 対応プロセス：W成膜、WSi成膜

• ※Triasは、東京エレクトロン株式会社の登録商標です。